從未來成長(zhǎng)動(dòng)力來看，對(duì)于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，GPU市場(chǎng)將成為拉動(dòng)半導(dǎo)體芯片需求的核心驅(qū)動(dòng)力。全球AI產(chǎn)業(yè)正快速發(fā)展，北美企業(yè)每年需投入數(shù)千億元采購英偉達(dá)的GPU芯片。

國(guó)內(nèi)云計(jì)算市場(chǎng)約占全球五分之一的份額，按理說，國(guó)內(nèi)算力需求也應(yīng)占到全球20%-30%的份額。因此，中國(guó)GPU市場(chǎng)的規(guī)模其實(shí)非?？捎^。

GPU的放量將帶動(dòng)先進(jìn)制程的需求加速增長(zhǎng)。除了GPU之外，消費(fèi)電子領(lǐng)域也存在對(duì)先進(jìn)制程的需求。例如，蘋果當(dāng)前的A18芯片已采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程，未來蘋果還計(jì)劃將臺(tái)積電3納米制程進(jìn)一步升級(jí)至2納米。不過，國(guó)內(nèi)高端手機(jī)芯片的制程進(jìn)度目前仍落后于蘋果。因此，國(guó)內(nèi)消費(fèi)電子領(lǐng)域未來也將推動(dòng)手機(jī)芯片向更先進(jìn)制程升級(jí)，這將進(jìn)一步帶動(dòng)先進(jìn)制程需求的加速擴(kuò)張。相應(yīng)地，先進(jìn)制程的產(chǎn)能也需要進(jìn)一步擴(kuò)充。

另一方面，我們可以看到現(xiàn)在的GPU，海外如英偉達(dá)的芯片（包括其H100及當(dāng)前熱門的GB200），采用的都是臺(tái)積電4納米左右的制程。但對(duì)于大陸的部分GPU廠商而言，其使用的制程主要集中在7到14納米。因此，若GPU持續(xù)放量，將帶來先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)所需的額外設(shè)備需求。由此可見，先進(jìn)制程當(dāng)前的擴(kuò)產(chǎn)需求較為急迫，國(guó)產(chǎn)設(shè)備在該賽道將迎來更多機(jī)會(huì)。當(dāng)然，國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商未必能在初期就占據(jù)較大份額，但這種緩慢替代的過程，已奠定了半導(dǎo)體設(shè)備賽道的中長(zhǎng)期景氣基礎(chǔ)。

另一個(gè)市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)是存儲(chǔ)行業(yè)的情況。存儲(chǔ)市場(chǎng)分類繁多，但DRAM和NAND兩大產(chǎn)品占據(jù)了98%至99%的市場(chǎng)份額，是最核心的品類。不過，這兩類產(chǎn)品的主要市場(chǎng)份額仍由日韓及美國(guó)廠商占據(jù)，大陸廠商的份額相對(duì)較少。

為什么存儲(chǔ)價(jià)格會(huì)大幅上漲？其實(shí)核心原因源于AI的虹吸效應(yīng)。英偉達(dá)這類芯片中會(huì)大量使用HBM，這是因?yàn)樵贏I訓(xùn)練與推理過程中，計(jì)算的開銷其實(shí)很低——芯片依靠晶體管中的器件運(yùn)作即可完成計(jì)算，且計(jì)算速度極快，真正的瓶頸在于數(shù)據(jù)需要不斷搬運(yùn)、頻繁切換，由此帶來的存儲(chǔ)與傳輸需求會(huì)非常大。

因此，內(nèi)存性能一直限制著AI芯片的性能提升。從海外情況來看，英偉達(dá)在GPU周圍配置了大量HBM，通過HBM的高速數(shù)據(jù)交換保障持續(xù)計(jì)算。在近期的CES2026上，黃仁勛宣布了一項(xiàng)存儲(chǔ)池化技術(shù)，該技術(shù)通過存儲(chǔ)池化為芯片額外增加了對(duì)NAND的需求，每張GPU大約對(duì)應(yīng)16TBNAND容量，相比以往翻了三四倍，這也將推動(dòng)存儲(chǔ)需求快速擴(kuò)張。

AI芯片自2023年起進(jìn)入了爆發(fā)式增長(zhǎng)階段。2023年全球GPU出貨量還相對(duì)較少，但截至2025年來看，全球GPU（包括ASIC）出貨量已接近或超過1000萬片，增長(zhǎng)速度極為迅猛。GPU持續(xù)放量將帶動(dòng)相關(guān)存儲(chǔ)需求，而需求增長(zhǎng)極為迅猛，供給卻未能同步快速提升，這就導(dǎo)致了供不應(yīng)求的局面。對(duì)于美光等技術(shù)先進(jìn)的海外公司，他們顯然更愿意將產(chǎn)能投向利潤(rùn)率更高的HBM產(chǎn)品，這就導(dǎo)致他們?cè)诓糠峙f有產(chǎn)品上的產(chǎn)能快速收縮。以DDR4為例，海外產(chǎn)能收縮速度極快，而今年DDR4的下游領(lǐng)域（如消費(fèi)電子、家電等）需求相對(duì)穩(wěn)健，這種供需錯(cuò)配直接導(dǎo)致相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲。

當(dāng)然，不同階段的漲價(jià)節(jié)奏存在差異，有時(shí)NAND漲勢(shì)更快，有時(shí)DRAM漲幅更突出。但總體來看，去年Q4存儲(chǔ)模組的合約價(jià)格已大幅上漲，而據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，今年Q1DRAM合約價(jià)格預(yù)計(jì)還將上漲50%至60%。

如果存儲(chǔ)行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)，從投資角度該如何布局，這是我長(zhǎng)期思考的問題。比如，大家若想通過指數(shù)類ETF布局存儲(chǔ)板塊，難度其實(shí)很大。因?yàn)槲沂崂砹耸袌?chǎng)上主流的半導(dǎo)體相關(guān)指數(shù)后發(fā)現(xiàn)，這類ETF的存儲(chǔ)板塊占比普遍僅10%，甚至不足20%。因此，存儲(chǔ)行情與這類ETF雖有相關(guān)性，但ETF行情并非主要由存儲(chǔ)行情驅(qū)動(dòng)。

順著這個(gè)思路，存儲(chǔ)漲價(jià)的本質(zhì)是產(chǎn)能端供不應(yīng)求，需求增長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力是全球AI技術(shù)的快速發(fā)展；而當(dāng)供給端出現(xiàn)調(diào)整時(shí)，存儲(chǔ)行業(yè)有望啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，這將直接利好半導(dǎo)體設(shè)備板塊。

存儲(chǔ)產(chǎn)線的國(guó)產(chǎn)化率顯著高于先進(jìn)制程領(lǐng)域。此外，存儲(chǔ)行業(yè)正呈現(xiàn)明顯的3D化趨勢(shì)，如圖所示，存儲(chǔ)芯片通過不斷堆疊存儲(chǔ)顆粒來增加層數(shù)，這種堆疊過程將更利好刻蝕、薄膜沉積等環(huán)節(jié)。

數(shù)據(jù)來源：智研咨詢，中國(guó)海關(guān)總署，中微公司，北方華創(chuàng)，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，華金證券研究所，泛林，交銀國(guó)際

網(wǎng)上可查的相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，尤其是NAND芯片，其層數(shù)不斷增加的同時(shí)，刻蝕環(huán)節(jié)也會(huì)相應(yīng)增多，因此刻蝕設(shè)備在整條產(chǎn)線中的價(jià)值量占比也會(huì)更高。此外，隨著3D化趨勢(shì)的推進(jìn)，對(duì)技術(shù)的要求也在不斷提高，例如，目前深寬比90:1的刻蝕技術(shù)已逐步得到應(yīng)用。

因此，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)將更利好國(guó)產(chǎn)設(shè)備，其中，國(guó)產(chǎn)設(shè)備在薄膜沉積、刻蝕等優(yōu)勢(shì)環(huán)節(jié)將顯著受益，而光刻等相對(duì)弱勢(shì)的環(huán)節(jié)，其重要性則相對(duì)被弱化。

此外，“兩存”的上市也是市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。若“兩存”成功上市，疊加當(dāng)前存儲(chǔ)價(jià)格超預(yù)期上漲、產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求的態(tài)勢(shì)，行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期有望進(jìn)一步升溫，這將為半導(dǎo)體設(shè)備板塊帶來持續(xù)催化。

剛才提到的3D化趨勢(shì)，從2D到3D，存儲(chǔ)芯片通過不斷堆疊存儲(chǔ)顆粒實(shí)現(xiàn)升級(jí)。由于是逐層堆疊，需要進(jìn)行多次刻蝕，例如挖掘溝道，且挖掘的溝道相比以往更深。因此，刻蝕設(shè)備在存儲(chǔ)產(chǎn)線中的價(jià)值量占比有望持續(xù)提升。

目前，主流廠商已基本推出300多層的3DNAND芯片，據(jù)第三方數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，到2030年這一數(shù)字可能會(huì)增加到1000層左右。層數(shù)的顯著提升，也意味著相關(guān)環(huán)節(jié)的景氣度將持續(xù)向好。

一個(gè)重要的變化是，當(dāng)前由存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體設(shè)備行情，其炒作邏輯與以往不同。以往半導(dǎo)體設(shè)備的炒作邏輯主要圍繞自主可控進(jìn)度，核心是關(guān)注國(guó)產(chǎn)設(shè)備在大陸市場(chǎng)的滲透率提升，本質(zhì)是國(guó)產(chǎn)設(shè)備逐步擠占海外廠商在國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)份額。

而存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體設(shè)備行情邏輯完全不同，其核心驅(qū)動(dòng)力來自全球AI的發(fā)展。例如，海外AIGPU持續(xù)快速出貨，將進(jìn)一步加劇全球存儲(chǔ)產(chǎn)能的供不應(yīng)求，這將推動(dòng)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)行業(yè)加速擴(kuò)產(chǎn)，在此過程中，相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備廠商將持續(xù)接到更多訂單。

因此，當(dāng)前看待半導(dǎo)體設(shè)備板塊，不應(yīng)再僅局限于自主可控這一單一視角。自主可控固然重要，但已非唯一的核心邏輯。當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備板塊已如同此前的光模塊、PCB等海外算力相關(guān)環(huán)節(jié)，進(jìn)入了與海外算力強(qiáng)映射的階段。例如，當(dāng)前海外部分存儲(chǔ)公司資本開支超預(yù)期時(shí)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備板塊的股價(jià)也會(huì)有所反應(yīng)，這種映射關(guān)系在近兩個(gè)月表現(xiàn)得尤為明顯。大家若有興趣可對(duì)比觀察，當(dāng)出現(xiàn)相關(guān)催化因素時(shí)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備板塊與北美主要存儲(chǔ)及半導(dǎo)體設(shè)備公司的股價(jià)映射關(guān)系十分清晰。

由此可見，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)為半導(dǎo)體設(shè)備板塊帶來的核心利好在于，其行情將跟隨AI賽道同步發(fā)展，進(jìn)入高景氣成長(zhǎng)階段。

半導(dǎo)體設(shè)備行情已從單一自主可控，升級(jí)為與海外算力強(qiáng)映射的格局，海外存儲(chǔ)企業(yè)資本開支變動(dòng)對(duì)國(guó)內(nèi)板塊催化明顯。當(dāng)前板塊估值分位低于主流芯片指數(shù)，性價(jià)比突出。半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）優(yōu)勢(shì)顯著：持倉涵蓋設(shè)備與材料領(lǐng)域龍頭，聚焦核心工藝環(huán)節(jié)；是市場(chǎng)規(guī)模最大、流動(dòng)性最佳的半導(dǎo)體設(shè)備主題ETF，當(dāng)前節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）催化邏輯明確，是把握行業(yè)景氣周期的優(yōu)選工具。

風(fēng)險(xiǎn)提示：

投資人應(yīng)當(dāng)充分了解基金定期定額投資和零存整取等儲(chǔ)蓄方式的區(qū)別。定期定額投資是引導(dǎo)投資人進(jìn)行長(zhǎng)期投資、平均投資成本的一種簡(jiǎn)單易行的投資方式。但是定期定額投資并不能規(guī)避基金投資所固有的風(fēng)險(xiǎn)，不能保證投資人獲得收益，也不是替代儲(chǔ)蓄的等效理財(cái)方式。

無論是股票ETF/LOF基金，都是屬于較高預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)和預(yù)期收益的證券投資基金品種，其預(yù)期收益及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)水平高于混合型基金、債券型基金和貨幣市場(chǎng)基金。

基金資產(chǎn)投資于科創(chuàng)板和創(chuàng)業(yè)板股票，會(huì)面臨因投資標(biāo)的、市場(chǎng)制度以及交易規(guī)則等差異帶來的特有風(fēng)險(xiǎn)，提請(qǐng)投資者注意。

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