每日經(jīng)濟(jì)新聞 2026-02-12 10:37:18
截至2月12日10:16,上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.49%。成分股方面漲跌互現(xiàn),歐萊新材領(lǐng)漲11.69%,晶升股份上漲1.78%,神工股份上漲1.27%;耐科裝備領(lǐng)跌3.25%,中微公司下跌1.83%,興福電子下跌1.78%??苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)下跌0.51%,最新報(bào)價(jià)1.75元。
截至2月12日10:18,中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.46%。成分股方面漲跌互現(xiàn),江豐電子領(lǐng)漲5.82%,廣立微上漲3.29%,金海通上漲2.94%;中微公司領(lǐng)跌2.09%,華峰測(cè)控下跌1.83%,中科飛測(cè)下跌1.33%。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)下跌0.47%,最新報(bào)價(jià)1.89元。
流動(dòng)性方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手2.6%,成交2.12億元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手1.75%,成交4763.55萬(wàn)元。
規(guī)模方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1周規(guī)模增長(zhǎng)2.05億元,實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng),新增規(guī)模領(lǐng)先同類;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)27.06億元。
資金流入方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流入1058.84萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看,近5個(gè)交易日內(nèi)有3日資金凈流入,合計(jì)“吸金”1.21億元,日均凈流入達(dá)2412.91萬(wàn)元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出2666.79萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看,近23個(gè)交易日內(nèi)有16日資金凈流入,合計(jì)“吸金”12.46億元,日均凈流入達(dá)5418.13萬(wàn)元。
消息面上,三星預(yù)計(jì),市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存芯片的強(qiáng)勁需求不僅將持續(xù)今年全年,而且還將持續(xù)到明年,因?yàn)槿斯ぶ悄芡苿?dòng)了強(qiáng)勁的需求。三星還重點(diǎn)強(qiáng)調(diào),公司的HBM4芯片顯示出“良好的”制造良率,客戶對(duì)其性能表示非常滿意。據(jù)報(bào)道,三星計(jì)劃在本月晚些時(shí)候開(kāi)始HBM4的大規(guī)模生產(chǎn)并將其交付給主要客戶。其HBM4芯片使用其1c工藝(第六代10納米級(jí)DRAM技術(shù))制造DRAM單元芯片,同時(shí)使用4納米工藝制造基板芯片?;谶@些技術(shù),三星的HBM4芯片實(shí)現(xiàn)了高達(dá)每秒11.7Gbps的數(shù)據(jù)處理速度,超過(guò)了聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)規(guī)定的8Gbps標(biāo)準(zhǔn)。
銀河證券指出,1月存儲(chǔ)市場(chǎng)延續(xù)2025年四季度以來(lái)的強(qiáng)勢(shì)上漲態(tài)勢(shì),DRAM和NAND閃存價(jià)格漲幅持續(xù)超預(yù)期。三星電子、SK海力士等頭部廠商一季度合約價(jià)大幅上調(diào),其中NAND閃存供應(yīng)價(jià)格上調(diào)超100%,DRAM價(jià)格漲幅達(dá)60%~70%。漲價(jià)核心驅(qū)動(dòng)因素包括:AI服務(wù)器對(duì)HBM需求爆發(fā)、數(shù)據(jù)中心資本開(kāi)支加碼、產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性調(diào)整等,供需缺口持續(xù)擴(kuò)大,預(yù)計(jì)本輪漲價(jià)周期將延續(xù)至2026年中。
相關(guān)ETF:公開(kāi)信息顯示, 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類:024417;C類:024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備(60%)和半導(dǎo)體材料(25%)細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求,擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。
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